氮化鋁粉

1. 1-3 μm
2. 2-6 μm
3. 5-8 μm
4. -300 mesh
5. -150 mesh

1. 功率模塊，向電子封裝，測溫保護管，高導熱氮化鋁陶瓷基片，
LED，電器元件，砷化鎵表面的氮化鋁塗層，製作高導熱樹脂添加。
2. 大規模集成電路散熱基板和封裝材料，高頻壓電元件、超大規模集成電路基。

1. 氮化鋁粉末純度高，粒徑小，活性大，是製造高導熱氮化鋁陶瓷基片的主要原料。
2. 氮化鋁陶瓷基片，熱導率高，膨脹係數低，強度高，耐高溫，耐化學腐蝕，電阻率高，介電損耗小，是理想的大規模集成電路散熱基板和封裝材料。
3. 氮化鋁硬度高，超過傳統氧化鋁，是新型的耐磨陶瓷材料，但由於造價高，只能用於磨損嚴重的部位。
4. 利用 AIN 陶瓷耐熱耐熔體侵蝕和熱震性，可製作 GaAs 晶體坩埚、AI 蒸發皿、磁流體發電裝置及高溫透平機耐蝕部件，
利用其光學性能可作紅外線窗口。氮化鋁薄膜可製成高頻壓電元件、超大規模集成電路基片等。
5. 氮化鋁耐熱、耐熔融金屬的侵蝕，對酸穩定，但在鹼性溶液中易被侵蝕。AIN 新生表面暴露在濕空氣中會反應生成極薄的氧化膜。
利用此特性，可用做鋁、銅、銀、鉛等金屬熔煉的坩埚和燒鑄模具材料。AIN 陶瓷的金屬化性能較好，可替代有毒性的氧化敏瓷在電子工業中廣泛應用。

白色粉末

AIN>99.9%