氮化鋁粉 Aluminum Nitride Powder 窒化アルミニウム
規格 サイズ
1. 1-3 μm
2. 2-6 μm
3. 5-8 μm
4. -300 mesh
5. -150 mesh
2. 2-6 μm
3. 5-8 μm
4. -300 mesh
5. -150 mesh
用途 用途例
1. 功率模塊,向電子封裝,測溫保護管,高導熱氮化鋁陶瓷基片,
LED,電器元件,砷化鎵表面的氮化鋁塗層,製作高導熱樹脂添加。
2. 大規模集成電路散熱基板和封裝材料,高頻壓電元件、超大規模集成電路基。
LED,電器元件,砷化鎵表面的氮化鋁塗層,製作高導熱樹脂添加。
2. 大規模集成電路散熱基板和封裝材料,高頻壓電元件、超大規模集成電路基。
產品特性 商品特徴
1. 氮化鋁粉末純度高,粒徑小,活性大,是製造高導熱氮化鋁陶瓷基片的主要原料。
2. 氮化鋁陶瓷基片,熱導率高,膨脹係數低,強度高,耐高溫,耐化學腐蝕,電阻率高,介電損耗小,是理想的大規模集成電路散熱基板和封裝材料。
3. 氮化鋁硬度高,超過傳統氧化鋁,是新型的耐磨陶瓷材料,但由於造價高,只能用於磨損嚴重的部位。
4. 利用 AIN 陶瓷耐熱耐熔體侵蝕和熱震性,可製作 GaAs 晶體坩埚、AI 蒸發皿、磁流體發電裝置及高溫透平機耐蝕部件,
利用其光學性能可作紅外線窗口。氮化鋁薄膜可製成高頻壓電元件、超大規模集成電路基片等。
5. 氮化鋁耐熱、耐熔融金屬的侵蝕,對酸穩定,但在鹼性溶液中易被侵蝕。AIN 新生表面暴露在濕空氣中會反應生成極薄的氧化膜。
利用此特性,可用做鋁、銅、銀、鉛等金屬熔煉的坩埚和燒鑄模具材料。AIN 陶瓷的金屬化性能較好,可替代有毒性的氧化敏瓷在電子工業中廣泛應用。
2. 氮化鋁陶瓷基片,熱導率高,膨脹係數低,強度高,耐高溫,耐化學腐蝕,電阻率高,介電損耗小,是理想的大規模集成電路散熱基板和封裝材料。
3. 氮化鋁硬度高,超過傳統氧化鋁,是新型的耐磨陶瓷材料,但由於造價高,只能用於磨損嚴重的部位。
4. 利用 AIN 陶瓷耐熱耐熔體侵蝕和熱震性,可製作 GaAs 晶體坩埚、AI 蒸發皿、磁流體發電裝置及高溫透平機耐蝕部件,
利用其光學性能可作紅外線窗口。氮化鋁薄膜可製成高頻壓電元件、超大規模集成電路基片等。
5. 氮化鋁耐熱、耐熔融金屬的侵蝕,對酸穩定,但在鹼性溶液中易被侵蝕。AIN 新生表面暴露在濕空氣中會反應生成極薄的氧化膜。
利用此特性,可用做鋁、銅、銀、鉛等金屬熔煉的坩埚和燒鑄模具材料。AIN 陶瓷的金屬化性能較好,可替代有毒性的氧化敏瓷在電子工業中廣泛應用。
性狀 外見
白色粉末
化學成份 化学成分
AIN>99.9%